Número de Producto del Fabricante:
TSM4NB65CI C0G
Product Overview
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
Número de pieza:
TSM4NB65CI C0G-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 4A ITO220AB
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 4A (Tc) 70W (Tc) Through Hole ITO-220AB
Inventario:
12899533
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
TSM4NB65CI C0G Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3.37Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
13.46 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
549 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
70W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
ITO-220AB
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Número de producto base
TSM4NB65
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
TSM4NB65CI C0G-DG
TSM4NB65CIC0G
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IRFIB5N65APBF
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
927
NÚMERO DE PIEZA
IRFIB5N65APBF-DG
PRECIO UNITARIO
1.83
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
Certificación DIGI
Productos relacionados
DMT10H025SSS-13
MOSFET N-CH 100V 7.4A 8SO
DMN30H4D0LFDE-13
MOSFET N-CH 300V 550MA 6UDFN
DMN2450UFD-7
MOSFET N-CH 20V 900MA 3DFN
